CEP125NP0R6NCD

CEP125NP0R6NCD datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

CEP125NP0R6NCD datasheet

Маркировка

CEP125NP0R6NCD
Производитель

Sumida Corporation
Описание

Sumida Corporation CEP125NP0R6NCD Mfr Package Description: ROHS COMPLIANT Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Core Material: MANGANESE-ZINC DC Resistance: 0.0015 ohm Surface Mount: Yes Terminal Shape: WRAPAROUND Manufacturer Series: CEP Number of Functions: 1 Number of Terminals: 2 Inductor Application: POWER INDUCTOR Shape/Size Description: RECTANGULAR PACKAGE Tolerance: 30 % Inductor Type: GENERAL PURPOSE INDUCTOR Test Frequency (at L-nom): 0.1000 MHz Rated Current-Max: 19.5 A Inductance-Nom (L): 0.6800 uH
Количество страниц

3 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet CEP125NP0R6NCD.pdf
Файл формата Pdf 116,33 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

CEP125NP0R6NCDОнлайн Компоненты

CEP125NP0R6NCDЭИК

CEP125NP0R6NCDТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Продукция NKK Switches

Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.